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日本先进芯片制造商Rapidus，在2024年7月实现了一个重要里程碑，宣布其2纳米全环栅（GAA）芯片原型制造已在日本北海道千岁市的IIM-1晶圆厂启动。根据外媒报道，Rapidus首席执行官小池淳义已将美国IBM公司和芯片设计初创公司Tenstorrent列为首要潜在客户。该报道进一步指出，Rapidus的计划是2025年开始为客户产品生产原型，目标是几家美国公司。

新媒网跨境获悉，外媒报道还提到，小池淳义确认Rapidus已申请日本政府支持的资金，以支持日本本土下一代半导体生产。此举彰显了日本政府在重振本国半导体产业，确保关键技术供应链自主可控方面的决心与投入。

外媒指出，Rapidus在2024年7月生产的晶体管，与美国IBM公司在300毫米晶圆上原型制造的2纳米GAA MOSFETs属同类型。为积累专业技术和经验，Rapidus已派遣总计150名工程师前往美国，接受GAA晶体管技术培训，并一直与IBM合作开发量产技术。这种深度合作模式，不仅加速了Rapidus的技术积累，也反映出美日两国在先进半导体领域战略协作的趋势。

值得关注的是，外媒强调，Rapidus已于2024年12月在其位于日本北海道千岁市的工厂安装了200多台制造设备，其中包括先进的极紫外（EUV）光刻机。该报告进一步指出，截至2025年4月，该工厂已成功展示了EUV图案化晶圆的生产能力，并于2025年6月完成了首批测试批次的加工。紧接着，2025年7月，该工厂又顺利启动了采用GAA晶体管的超大规模集成电路（VLSI）测试芯片的原型制造。这一系列进展，标志着Rapidus在2纳米工艺研发和量产准备方面取得了实质性突破。

进展与未来之路

Rapidus公司对其2纳米工艺的进展一直抱有信心，目标是在2027年实现大规模量产。2024年7月，外媒报道，Rapidus首席执行官小池淳义曾表示，公司正在与30至40家潜在客户进行洽谈，尽管工厂产能有限，无法全部承接。这表明市场对Rapidus的先进芯片技术表现出浓厚兴趣，同时也凸显了公司在未来产能扩张方面可能面临的挑战。

外媒援引小池淳义的话指出，Rapidus并不旨在直接与台积电（TSMC）竞争，而是寻求差异化发展路径。然而，有外媒报道称，Rapidus正在开发的2纳米先进节点“2HP”，预计在逻辑密度方面可与台积电的N2节点匹敌，并可能超越英特尔的18A工艺。这一说法凸显了Rapidus在技术性能上 ambitions，意图在高端芯片市场占据一席之地。

不过，另有外媒分析指出，到2027年，Rapidus的芯片制造工艺可能会落后台积电一到两个节点，甚至可能落后于英特尔。这种预期上的差距，意味着Rapidus在追求技术领先的道路上仍面临严峻挑战。在全球半导体产业竞争日趋白热化的背景下，技术节点的微小差距，都可能对市场份额和产业地位产生显著影响。

为实现差异化竞争，Rapidus正专注于提升生产流程的灵活性。该公司强调其专有的全单晶圆工艺，能够将芯片制造的周转时间（从投片到产出）缩短至仅50天。这与传统混合批次-单晶圆工艺约120天的周转时间形成鲜明对比。这种高效的生产模式，旨在为客户提供更快的响应速度和更灵活的定制服务，以此作为其在市场中脱颖而出的核心竞争力。在先进芯片制造领域，快速的迭代能力和交付速度，对于满足客户对定制化和时效性的需求至关重要。

另一方面，外媒也指出，Rapidus的发展道路可能充满挑战。其合作伙伴之一，美国初创公司Esperant Technologies据报道正濒临破产边缘。这一事态发展，可能会对Rapidus的某些合作项目或供应链稳定性带来不确定性。在复杂的全球半导体生态系统中，合作伙伴的财务状况和运营稳定性，是影响项目推进和风险控制的重要因素。Rapidus在推进其宏伟计划的同时，需密切关注并应对这类潜在的外部风险。

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本文来源：新媒网 https://nmedialink.com/posts/japan-rapidus-2nm-proto-july-2027-prod-50day-cycle.html