英特尔ZAM AI内存2026量产，垂直堆叠重构市场。

近期，全球半导体行业正经历一场深刻变革，其中内存技术的发展尤为引人瞩目。新媒网跨境获悉，芯片巨头英特尔（Intel）近期宣布，正与一家由软银支持的初创公司Saimemory合作，共同开发一种名为Z-Angle Memory（ZAM）的新型内存技术，该技术旨在应对人工智能（AI）计算时代日益增长的内存需求和严峻的内存供应挑战。

此项合作标志着英特尔在存储技术领域的一次重要回归与创新，其核心在于改变内存的构建方式，而非仅仅是内存类型本身。ZAM技术的设计目标是垂直堆叠RAM（随机存取存储器），从而大幅提升内存密度，降低功耗，并有望成为高带宽内存（HBM）的一种替代方案。鉴于当前PC行业乃至整个计算领域面临着多年来最严重的内存短缺问题，加之AI服务器对高性能内存的巨大需求，英特尔此次战略性举措显得尤为关键。

此次合作中的ZAM技术，其名称中的“Z-Angle”与“Z轴高度”（Z height）概念紧密相关。在技术领域，“Z轴高度”常用于描述物体堆叠的厚度。ZAM正是利用这种垂直维度，通过将内存芯片相互堆叠，以实现在相同体积内显著增加可用内存容量的目标。英特尔将这种创新方法称为“下一代DRAM键合”（Next-Generation DRAM Bonding, NGDB）技术。这项技术不仅能提高内存集成度，还有助于降低整体系统的能耗，这对于数据中心、AI服务器以及高性能计算等领域具有重要意义。

当前，高带宽内存（HBM）已成为AI服务器中的关键组件，AMD早在2015年便开始在其Radeon GPU芯片中采用HBM技术。HBM通过在处理器封装内部实现多层DRAM堆叠，提供了极高的数据传输速率。而英特尔的NGDB技术，目标是提供一种同样具备高带宽能力的选择，并可能在功耗和成本方面展现出优势，从而为日益蓬勃的AI产业提供更多元化的内存解决方案。

尽管英特尔尚未详细披露NGDB技术的具体细节，但其发展路径与公司此前推出的Foveros封装技术一脉相承。早在2018年，英特尔便发布了Foveros技术，该技术通过将EMIB（嵌入式多芯片互连桥接）技术垂直拓展，实现了逻辑芯片的堆叠，甚至可以将内存芯片安装在逻辑芯片之上。现在，通过与Saimemory的合作，英特尔正将这种垂直堆叠理念进一步应用于内存芯片本身，实现“内存上堆叠内存”，从而探索更高的集成度和性能极限。

Saimemory公司在此次合作中扮演着关键角色，其贡献源于美国能源部（U.S. Department of Energy）和国家核安全管理局（National Nuclear Security Administration, NNSA）通过桑迪亚国家实验室（Sandia National Laboratory）、劳伦斯利弗莫尔国家实验室（Lawrence Livermore National Laboratory）和洛斯阿拉莫斯国家实验室（Los Alamos National Laboratory）支持的“先进内存技术（Advanced Memory Technology, AMT）研发项目”所奠定的基础工作。这意味着ZAM技术在研发之初便得到了美国国家级科研力量的支持。根据双方发布的消息，Saimemory将负责该产品的商业化推广与销售，而英特尔则主要提供核心技术支持。

就市场推广和量产计划而言，双方的合作已进入实质性阶段。相关制造业务已于2026年第一季度启动。原型产品预计将在2027年面世，而ZAM技术实际开始销售的时间表则定在了2030年。这一长期规划表明，英特尔和Saimemory对ZAM技术的未来市场潜力抱有高度信心，并致力于通过持续的技术迭代和生产优化，逐步将其推向市场。

新媒网跨境了解到，英特尔的历史与存储器有着不解之缘。公司成立于1968年，最初就是一家存储器公司，主要生产SRAM（静态随机存取存储器）和DRAM（动态随机存取存储器）。虽然英特尔后来发明了世界上第一个微处理器4004，并在1970年代出售DRAM产品，但最终在战略上转向了以微处理器供应为主导。

如今，随着AI超级计算中心对内存和存储需求的不断增长，英特尔再次将目光投向了存储技术创新。当前市场对内存产品的需求量巨大，尤其是在AI领域，对高性能、高带宽内存的需求几乎是“贪婪式”的。因此，如何更有效地利用现有内存资源，并开发出更具效率的内存技术，对于缓解可能持续多年的内存短缺问题，以及满足AI时代对计算能力的基础支撑，具有战略性意义。此次英特尔与Saimemory的合作，正是对当前行业挑战的积极回应。

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本文来源：新媒网 https://nmedialink.com/posts/intel-zam-ai-memory-2026-vertical-stacking-future.html