混合键合！SK海力士300层NAND，定档2027年量产。

SK海力士正积极推进其NAND技术发展，核心在于导入混合键合（Hybrid Bonding）工艺。新媒网跨境获悉，据外媒报道，该公司目前正开发采用这一技术的300层NAND产品。此举表明SK海力士已与其他领先制造商，包括韩国三星电子、中国长鑫存储（YMTC）和日本铠侠（Kioxia）一道，加快了全面部署混合键合技术的步伐。外媒引述消息人士的报道指出，SK海力士正在其第十代（V10）NAND产品上进行300层堆叠技术的研发工作，目标是在明年（2026年）完成试点生产线的开发，并计划于后年年初（2027年）进入全面量产阶段。

混合键合技术：SK海力士V10 NAND的关键变革

外媒报道指出，V10 NAND的显著特点在于，这是SK海力士首次在其产品中应用混合键合技术。混合键合是一种将两片半导体晶圆连接起来，使其作为一个整体运作的工艺。在此之前的V9（321层）NAND产品中，SK海力士将存储单元阵列和外围电路均生产在同一片晶圆上。根据外媒的描述，在“外围电路置于单元下方”（PUC，Peri-under-Cell）的架构下，外围电路位于晶圆底部，而存储层则直接堆叠在其上方。然而，这种配置方式使得外围电路面临更大的风险，例如在后续堆叠和刻蚀过程中，外围电路可能更容易受到损伤。

外媒同时指出，混合键合技术能够有效缓解上述问题，甚至有可能缩短整体生产周期。这是因为在混合键合模式下，外围电路晶圆和存储单元晶圆可以分别独立制造，互不干扰，随后再进行精确的键合。这种分离制造的方式提高了工艺的灵活性和效率。但外媒也强调，混合键合技术的引入，无疑增加了整体工艺的复杂性。目前，用于晶圆对晶圆集成（Wafer-to-Wafer Integration）的混合键合设备主要由奥地利EVG公司和日本东京电子（Tokyo Electron）提供，这些专业设备的引入也对生产线提出了更高的技术要求。

全球NAND制造商加速混合键合技术转型

尽管业界此前普遍预期SK海力士将在400层以上的NAND产品中才开始采用混合键合技术，但外媒报道显示，为应对竞争对手更快的商业化步伐，SK海力士已决定在其300层的V10阶段便开始应用此项技术。例如，外媒提到，日本铠侠已于2023年通过其CBA（CMOS Directly Bonded to Array）架构导入了混合键合技术。而韩国三星电子则计划在其即将推出的V10设备（约400层）中引入该技术，预计其V10产品也将很快进入大规模量产阶段。这些行业动态共同表明，混合键合技术正迅速成为NAND闪存行业的技术主流，各大厂商都在积极布局，以期在存储密度、性能和成本方面取得竞争优势。

企业级SSD需求旺盛，SK海力士加码生产投资

外媒报道还提及，SK海力士在明年（2026年）将继续加大投资力度，一方面用于V10 NAND的研发，另一方面则用于现有设备的改造，以扩大V9产品的产能。新媒网跨境了解到，一位业内消息人士向外媒透露，尽管SK海力士在今年上半年仍在积累NAND库存，但自下半年以来，企业级固态硬盘（Enterprise SSD）需求的持续增长，已使其NAND生产工厂接近满负荷运行。外媒补充说明，目前SK海力士量产的NAND产品中，堆叠层数最高的是321层的V9产品，这也支撑了该公司在全球NAND市场中位居第二的市场地位。在当前的市场环境下，企业级SSD的需求激增，无疑为NAND闪存制造商带来了积极的市场信号，也促使SK海力士等厂商加快技术迭代和产能扩张的步伐。

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本文来源：新媒网 https://nmedialink.com/posts/hybrid-bonding-sk-hynix-300-nand-2027-prod.html