高NA EUV光刻机首波400亿美金蓝海开启！

ASML：高NA EUV芯片或将数月内首次亮相，TSMC因成本问题延迟采用

近年来，随着芯片制造技术的持续演进，行业对高数值孔径（High-NA）极紫外光刻技术的关注与日俱增。这项尖端技术被认为能够进一步推动芯片微缩，加速先进制程发展。外媒消息称，尽管一些芯片制造商决定暂时观望，高NA EUV技术相关产品可能将在未来几个月内面世。

ASML首席执行官Christophe Fouquet透露，高NA EUV技术支持的首批存储及逻辑产品预计将在近期生产。虽然高NA EUV光刻机初期成本较高，每台设备售价可能达4亿美元，但长远来看有望降低制程成本。不过，该技术的全面推广仍需继续验证和优化。

如今，高NA EUV设备已经进入试验阶段，并有望支撑晶体管特征尺寸缩小66%。Intel是率先规划高NA技术的厂商之一，其于2025年12月引入首台高NA设备，用以支持14A制程的开发。这标志着高NA技术开始迈入实际应用。

SK hynix也透露了在下一代DRAM研发和大规模量产中应用高NA EUV技术的计划。作为存储芯片领域的重要玩家，该公司的行动表明高NA技术将不仅局限于逻辑芯片，还将提升存储器生产效率。

在高NA EUV技术的应用策略上，各芯片制造商展现出了不同的选择。台湾TSMC的执行官Kevin Zhang表示，公司短期内仍将主要使用ASML现有的EUV设备，不会急于采用高NA技术。这一策略侧重于通过创新设计实现制程突破，而非单纯依赖高成本的新设备。

三星电子则选择更为谨慎的路线，计划推迟高NA技术的全面应用，预计在2027年前后逐步引入。这种策略不仅有助于缓解成本压力，还能稳定其现行的3nm全环栅晶体管（GAA）工艺。三星预计1.4nm技术量产阶段将是其高NA技术全面投入的节点。

从行业发展来看，高NA EUV技术的关键进程预计将在未来三年内逐步展开。2026年，包括Intel和SK hynix在内的先锋企业将率先完成初步验证并推出相关产品；到2027年，大规模量产测试及成本折旧分析将成为重点；至2028年，随着成本效益的逐步显现，高NA技术可能迎来新的应用潮。

这一技术拐点或将进一步拉开早期应用者与更加谨慎企业之间的差距。在技术路径选择上，Intel、SK hynix等积极推进，而TSMC及三星则以稳扎稳打的策略应对。对于国内从业者来说，这一阶段性的变化值得密切关注，以便及时调整自身研发计划和市场策略。

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