DRAM暴涨23%！DDR5利润将超HBM，跨境必读！

全球数字经济浪潮奔涌向前，半导体产业作为其基石，始终是各界关注的焦点。尤其是在内存领域，DRAM（动态随机存取存储器）作为各类电子设备和数据中心的核心组件，其市场动态、价格走势以及技术演进，不仅直接影响着从智能手机到服务器的制造成本，更深刻牵动着人工智能、云计算等前沿技术的发展脉搏。对于中国跨境行业的从业者而言，无论是从事硬件制造、云计算服务，还是布局AI应用和数据中心建设，紧密跟踪全球DRAM市场的变化，都具有重要的战略意义。

当前，全球半导体市场正经历一场深刻的结构性调整。进入2025年第四季度，服务器DRAM的市场表现尤为引人注目。受全球云服务提供商（CSP）持续扩大其数据中心规模的驱动，DRAM整体价格呈现出强劲的上涨势头。这些大型CSP为了满足日益增长的计算和存储需求，正不断增加其DRAM的采购订单量。

在这样的市场背景下，内存芯片供应商展现出更为积极的提价意愿。虽然当前季度最终的合同价格仍在协商之中，但市场普遍观察到，供应商的报价意愿显著增强。有分析指出，2025年第四季度普通DRAM的价格涨幅预计将达到18%至23%，这比此前预测的8%至13%有了明显上调，并且不排除未来进一步上修的可能性。对于依赖DRAM进行产品生产和出口的中国企业来说，这意味着原材料成本的直接上升，需要在供应链管理和成本控制上做好更充分的准备。同时，这也预示着全球数字基础设施建设的热潮仍在持续，为中国相关服务和解决方案的“出海”提供了市场空间。

展望2026年，全球服务器出货量预计将保持稳健增长，年增幅约在4%左右。然而，这一数字背后蕴藏着更为深刻的市场变革。为了支持庞大而复杂的AI模型运行，全球各大云服务提供商正加速向高性能计算（HPC）平台升级。这种升级并非简单的硬件迭代，而是伴随着单台服务器所需内存容量的显著增加。AI模型的复杂性对内存带宽、容量和速度提出了前所未有的要求，直接推动了更高规格内存的应用普及。

在这一趋势的带动下，2026年DRAM的整体位需求将超出此前的预期，使得结构性的供应短缺问题可能会持续存在。特别是在服务器内存领域，DDR5作为目前主流的高性能DRAM技术，预计其合同价格将在整个2026年，尤其是在上半年，保持强劲的上涨态势。DDR5相较于上一代DDR4在带宽、功耗和容量方面都有显著提升，能够更好地满足AI工作负载的需求。因此，它的需求增长和价格上涨，是当前AI时代技术演进的必然结果。

与DDR5的强劲表现形成对比的是HBM3e（高带宽内存）市场。虽然HBM3e在AI服务器中扮演着关键角色，但随着内存巨头在这一领域的竞争日益激烈，以及买方普遍维持着健康的库存水平，HBM合同价格预计将从2026年开始同比下降。HBM3e以其极致的带宽和紧凑的封装形式，是目前高端AI芯片不可或缺的配套内存。但其生产工艺复杂，成本高昂，且主要服务于少数高端应用。随着市场竞争的加剧和产能的逐渐释放，价格出现调整也是符合市场规律的。对于中国的AI芯片设计企业和HPC解决方案提供商而言，HBM价格的变动将直接影响其整体解决方案的成本效益，需要密切关注。

回顾2025年第二季度，市场观察显示，HBM3e的价格溢价一度超过DDR5的四倍以上，为内存芯片供应商带来了更为丰厚的利润。这使得HBM3e成为当时各大厂商争相投入的“利润奶牛”。然而，随着DDR5价格的持续攀升，预计到2026年，这两种高性能内存之间的价格差距将显著缩小。有分析预计，DDR5的盈利能力甚至可能从2026年第一季度开始超越HBM3e。

这一盈利能力的变化，将对内存芯片供应商的产能分配策略产生深远影响。HBM3e和DDR5在生产过程中需要竞争一部分相同的晶圆产能。一旦DDR5的盈利能力开始超越HBM3e，供应商可能会为了确保收益，将更多的生产资源和投资转向服务器DDR5领域。这种产能的动态调整，将直接影响DDR5和HBM3e的供应量和市场平衡。

与此同时，即使HBM3e的价格趋于稳定且需求依然坚挺，供应商仍可能尝试提高其平均销售价格（ASP），以期在产品组合中维持均衡的盈利水平。这反映了内存市场中厂商在追求最大化利润与维持市场份额之间进行的精妙博弈。DDR5和HBM这两种关键内存技术之间的产能配置和定价策略，无疑将成为引领内存市场下一阶段发展走向的关键变量。

对于中国跨境行业的从业者而言，这些市场动态蕴含着多重影响与启示。

首先，在供应链稳定性与成本控制方面，DRAM价格的持续上涨，将直接增加中国服务器、PC、智能手机以及其他智能终端制造企业的物料成本。这要求企业必须更加注重供应链的韧性建设，例如通过与多家供应商建立长期合作关系，或寻求区域性供应链的多元化，以降低单一来源的风险和价格波动的影响。有效的成本管理和精细化运营，将成为企业在竞争中脱颖而出的重要能力。

其次，在技术升级与国产替代方面，全球对高性能DRAM的旺盛需求，特别是DDR5和HBM等先进技术的普及，无疑将进一步刺激中国本土存储器产业的研发投入和技术创新。中国企业在内存领域的技术追赶和自主可控，对于保障数字经济发展具有战略意义。随着市场需求的指引，国产DDR5和HBM等先进内存技术的研发和量产进程有望加速，为中国制造提供更强的“中国芯”支撑。

再者，对于AI产业发展而言，AI服务器作为人工智能基础设施的核心，其对内存的巨大需求，将直接影响中国AI计算平台的建设成本和发展速度。中国AI企业在部署大规模AI模型时，如何在高性能与成本之间取得平衡，将是决定其市场竞争力的关键。DRAM市场的波动，也促使AI企业和数据中心运营商在硬件采购、架构设计上进行更长远的规划。

此外，数据中心建设的加速，使得内存作为核心部件的战略地位愈发凸显。中国作为全球最大的数据流量市场之一，数据中心建设方兴未艾。全球DRAM市场的涨跌，将直接影响中国数据中心基础设施的投资回报周期和运营成本。关注DRAM的技术路线和市场供需，有助于中国的数据中心运营商和云服务提供商做出更明智的投资决策。

最后，在全球存储器市场的波动中，也孕育着新的投资与合作机遇。中国企业可以持续关注国际领先存储器厂商的技术走向、产能规划和市场策略，寻求在技术授权、合资建厂或产业链上下游的深度合作机会。同时，国内资本也可以在存储器产业链中寻找具有创新能力和成长潜力的企业进行投资，共同推动中国存储器产业的健康发展。

总而言之，DRAM市场的活跃表现，是全球数字经济强劲增长的积极信号。对于中国跨境行业的从业者而言，这既带来了技术升级、市场拓展的巨大机遇，也提出了供应链风险、成本管理等方面的挑战。DDR5与HBM之间此消彼长的盈利能力和产能配置博弈，将是未来一段时间内内存市场格局演变的核心驱动力。面对瞬息万变的市场环境，中国企业需持续提升自身的创新能力和全球竞争力，积极把握技术演进趋势，审慎应对市场风险，方能在全球数字经济的浪潮中行稳致远。

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本文来源：新媒网 https://nmedialink.com/posts/dram-up-23-ddr5-profit-tops-hbm-must-read.html