中国芯狂揽HBM超2亿订单，国产半导体设备崛起！

在当前全球半导体产业格局中，高性能计算对先进存储技术的需求持续攀升，高带宽内存（HBM）作为关键一环，正迎来快速发展。伴随这一趋势，中国本土芯片设备制造商在HBM生产领域的突破日益受到业界关注。新媒网跨境获悉，中国芯源微电子设备股份有限公司（ACM Research）已推出多款专为HBM生产优化的解决方案，并计划在2026年前发布兼容HBM4的清洗系统。

全球内存巨头青睐：芯源微Ultra ECP 3D系统斩获大单

据行业媒体报道，芯源微的旗舰产品Ultra ECP 3D系统，凭借其在硅通孔（TSV）铜填充技术上的卓越表现，正在全球HBM生产供应链中占据一席之地。TSV技术是HBM制造中的核心环节，它通过垂直互连实现芯片的高密度堆叠，从而大幅提升数据传输速率和能效。Ultra ECP 3D系统主要负责这一关键的铜填充工艺。

据了解，自2024年下半年以来，芯源微Ultra ECP 3D系统的订单量呈现显著增长态势。在全球主要存储芯片制造商中，韩国三星电子已成为该系统的重量级客户之一，这标志着中国本土设备在国际高端半导体制造领域的认可度正不断提升。

技术细节揭秘：高层数3D NAND与HBM制造的关键支撑

该设备在技术参数上展现出领先优势。据行业报道指出，芯源微的Ultra ECP 3D系统能够实现3D NAND配置中超过500层TSV结构的铜填充，并达到高达99.8%的良率。这一数据不仅体现了设备在精密度和可靠性方面的强大能力，更凸显了其满足HBM制造对高深宽比电镀要求的专业设计。对于HBM这类通过多层芯片堆叠实现高带宽的存储器而言，TSV铜填充的质量直接决定了最终产品的性能和可靠性。精确且高良率的铜填充，是确保HBM稳定运行和大规模生产的基础。

多维技术布局：清洗设备在HBM生产线的广泛应用

除了Ultra ECP 3D系统，芯源微在HBM生产线上的其他关键工艺设备也取得了重要进展。据报道，芯源微的SAPS兆声波单晶圆清洗技术，专注于解决TSV深孔清洗这一挑战性环节。在HBM生产过程中，TSV形成后的残留物必须被彻底清除，以确保后续的铜填充和互连的可靠性。SAPS技术正是为此类高精度清洗需求而设计，目前已成功部署在SK海力士和美光科技的HBM生产线上，为全球两大内存巨头的先进存储制造提供支持。

同时，芯源微的TEBO兆声波清洗技术也针对HBM等复杂三维结构的独特清洗需求进行了优化。该技术已通过多家头部芯片制造商的验证，目前已有四套设备成功出货。这表明，芯源微的清洗解决方案不仅技术成熟，且已获得行业领先企业的实际认可，并在全球HBM产业链中扮演着日益重要的角色。

展望未来：芯源微剑指HBM4及更高层叠技术

芯源微并未止步于现有成就，正积极布局更先进的HBM技术。据金融信息平台报道，公司在HBM市场领域的推进速度令人瞩目。芯源微计划在2026年前推出兼容HBM4的清洗设备。HBM4代表着下一代高带宽内存技术，其对芯片堆叠层数和TSV密度提出了更高的要求。芯源微的HBM4兼容清洗设备将能够处理16层堆叠晶圆，并支持2048个TSV，这预示着其在超高密度三维集成技术上的前瞻性布局。

在商业拓展方面，2025年第三季度，芯源微斩获了一份来自全球领先内存制造商的HBM封装设备订单，价值超过2亿人民币。该订单预计在2026年上半年完成交付，进一步巩固了芯源微在HBM封装设备市场的领先地位。

此外，为了加速HBM相关技术的研发和市场拓展，芯源微已在韩国研发中心设立了专门的HBM实验室。此举彰显了芯源微积极拓展其在快速增长的HBM设备市场版图的决心和战略部署。通过本地化的研发投入，芯源微旨在更紧密地与全球顶级内存制造商合作，共同推动HBM技术的创新与应用。