欧美AI巨头抢着要！中国氮化镓芯片出货破20亿颗。

2月3日，英诺赛科（Innoscience）发布官方公告，宣布在业务发展方面取得重大突破。该公司研发的氮化镓（GaN）产品已成功通过美国谷歌（Google）相关人工智能（AI）硬件平台的关键设计导入，并正式签署了合规供应协议。新媒网跨境获悉，这一合作标志着中国功率半导体企业在全球AI核心供应链中占据了重要位置。

作为氮化镓行业的全球领军企业，英诺赛科与美国谷歌的此次合作聚焦于AI服务器和数据中心等高增长领域。根据公告内容，英诺赛科将以此为契机，结合现有的项目开发和客户合作，进一步深化与产业链伙伴的协作。此举旨在确保公司产品能够以合规的方式推进商业化进程，全面满足美国谷歌AI硬件供应链的需求，以及全球市场对高性能、高可靠性氮化镓产品的迫切需求。

根据英诺赛科官方网站资料显示，该公司是全球首家实现8英寸硅基氮化镓（GaN-on-Silicon）晶圆大批量规模化生产的整合器件制造商（IDM）。其位于苏州的生产基地每月可稳定供应15,000片8英寸氮化镓晶圆，产品良率高达97%。在性能方面，英诺赛科的氮化镓产品能够将服务器的功率密度提升50%，将系统组件数量减少60%，在En-FCLGA封装中优化导热性能达65%，并针对100V级解决方案将系统功耗降低超过50%。截至2025年底，英诺赛科的氮化镓功率芯片累计出货量已达到20亿颗。

在全球产业布局方面，英诺赛科已与多家国际知名企业建立了深度合作伙伴关系，业务覆盖AI计算、半导体制造、汽车电子和工业电源等核心领域。

2025年4月，英诺赛科宣布与欧洲意法半导体（STMicroelectronics）达成氮化镓技术开发与制造协议。双方共同开发氮化镓功率技术，并实施互补的制造资源共享。根据协议，英诺赛科可以利用意法半导体在欧洲的制造能力，而意法半导体则可以依靠英诺赛科在中国的产能。这一合作将共同助力双方拓展AI数据中心和汽车电子市场，进而提升供应链韧性及全球交付能力。

随后在2025年11月，英诺赛科进一步宣布，其700V氮化镓晶圆以优越的电学性能和可靠性，支持意法半导体推出了基于氮化镓技术的VIPerGaN50W反激式电源集成器件系列。

2025年10月，美国英伟达（NVIDIA）在其官方网站更新了800V系统供应商名单，英诺赛科成为唯一一家入选该合作伙伴名单的中国功率半导体公司。此次合作重点关注AI数据中心的高端电源架构，共同推动800V直流电源架构的大规模应用。英诺赛科为英伟达提供从15V到1200V的全链路氮化镓功率解决方案，旨在支持万瓦级到兆瓦级计算能力的跨越，以满足英伟达下一代兆瓦级计算基础设施的高效供电需求。

此外，英诺赛科还发表了题为《英诺赛科通过全氮化镓技术推进800VDC架构》的论文，系统阐述了氮化镓技术与800VDC架构的兼容性，为此次合作提供了技术支持，也为全球产业化发展提供了参考路径。

2025年12月，英诺赛科与美国安森美（onsemi）签署了战略合作备忘录。这项合作将英诺赛科成熟的200mm硅基氮化镓工艺与安森美在系统集成和封装方面的专业技术相结合。双方合作专注于40-200V中低压氮化镓功率器件在工业、汽车、电信基础设施和AI数据中心等多个应用场景。计划于2026年上半年发布样品，共同推动氮化镓产品的量产和市场普及。新媒网跨境了解到，这些战略合作展现了英诺赛科在全球功率半导体领域的深度布局与技术实力。

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本文来源：新媒网 https://nmedialink.com/posts/china-gan-chips-hit-2b-supply-for-us-eu-ai.html