中国12英寸碳化硅大突破！AI/VR新机遇涌现。

在全球半导体材料技术持续迭代创新的背景下，12英寸（300毫米）碳化硅（SiC）单晶衬底已成为全球产业竞争的焦点。近期，外媒报道了美国公司Wolfspeed在12英寸碳化硅单晶衬底研发方面取得显著进展。与此同时，中国众多企业也在这一领域加速布局，不断实现技术突破，为人工智能（AI）、虚拟现实/增强现实（VR/AR）以及高压电力器件等多个行业开辟了新的发展空间。

Wolfspeed展示12英寸碳化硅单晶衬底技术

新媒网跨境获悉，根据近期外媒的报道，美国半导体公司Wolfspeed在12英寸碳化硅单晶衬底的研发上取得了重要里程碑，成功完成了相关产品的技术演示。Wolfspeed开发的这一12英寸平台，巧妙地融合了用于电力电子的大规模碳化硅制造技术，以及用于光学和射频系统的先进半绝缘衬底技术。这种独特的集成方式，为光学、光子学、热管理以及电力电子领域的晶圆级集成提供了更多可能性，有望在未来技术创新中发挥更广泛的作用。

从应用层面来看，碳化硅材料的固有特性与12英寸平台的优势高度契合。例如，在人工智能领域，碳化硅卓越的导热性和机械强度，使其能够有效满足数据中心日益增长的功率需求，从而为AI基础设施的稳定运行和性能提升提供坚实支撑。而在下一代AR/VR应用中，碳化硅出色的热性能和可控的光学折射特性，使其成为构建多功能光学架构的理想材料，有望推动AR/VR设备向更轻薄、更高性能的方向发展。

除了AI基础设施和AR/VR设备，12英寸碳化硅平台的商业化预期将进一步拓宽先进电力器件的应用范围。它将为电网级高压能源传输和新一代工业系统提供关键支持，同时也将推动元器件实现更小的尺寸、更高的性能和更低的发热量，持续助力相关产业的技术突破与创新。

中国企业在12英寸碳化硅单晶衬底领域取得多项进展

在中国，众多企业同样在12英寸碳化硅单晶衬底技术上取得了突破性进展，展现了国产半导体材料的快速发展势头。

在2025年3月举行的SEMICON China展会上，中国科学院上海硅酸盐研究所旗下的上海积塔半导体有限公司（SICC）全面展示了其300毫米（12英寸）碳化硅衬底系列产品，其中包括用于电力器件的N型导电衬底和用于射频及光学应用的半绝缘衬底。这标志着中国企业在超大尺寸碳化硅衬底方面具备了更强的研发与生产能力。

紧随其后，2025年9月，吉林华微电子股份有限公司（JSG）对外宣布，其首条12英寸碳化硅衬底加工中试生产线已正式投产。这条生产线的启用，不仅提升了公司在碳化硅晶体生长和加工方面的技术水平，也为后续大规模生产奠定了基础。

2025年10月，位于珠海的天成先进材料有限公司（Tiancheng Advanced）披露，该公司依托自主研发的12英寸碳化硅晶体生长设备，成功制备出了12英寸高纯半绝缘碳化硅单晶材料。同时，其12英寸N型碳化硅单晶的有效晶体厚度已超过35毫米。晶体厚度的增加意味着能够生产出更多的晶圆片，对于提高生产效率和降低成本具有重要意义。

2025年12月，中科钢研节能科技有限公司（CGEE）宣布，其自主研发的12英寸碳化硅单晶炉已完成小批量出货，并正式交付给客户进行商业化使用。这表明中国在碳化硅晶体生长设备领域已具备了自主研发和产业化能力，对于保障上游材料的供应至关重要。

同在2025年12月，苏州晶湛半导体有限公司（Epiworld International）则发布了全球首款12英寸碳化硅外延晶圆。该产品在关键技术指标上表现出色，外延层厚度非均匀性达到≤3%，掺杂浓度非均匀性≤8%，2毫米×2毫米芯片的良率超过96%。这些参数不仅体现了晶湛半导体在外延技术上的领先水平，也达到了高端电力器件量产的技术要求，为高性能电力电子器件的国产化替代提供了坚实基础。

新媒网（公号: 新媒网跨境发布），是一个专业的跨境电商、游戏、支付、贸易和广告社区平台，为百万跨境人传递最新的海外淘金精准资讯情报。

本文来源：新媒网 https://nmedialink.com/posts/china-12-inch-sic-breakthrough-ai-vr-opportunity.html