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韩国领先的存储芯片制造商SK海力士（SK hynix）在2025年第三季度表现强劲，实现了有史以来最高的季度运营利润，这与行业巨头三星电子在人工智能（AI）芯片需求推动下，其芯片价格上涨带来的三年来最佳第三季度利润表现相呼应，共同为全球半导体市场注入了信心。

新媒网跨境获悉，SK海力士于10月29日公布了其第三季度财报。数据显示，公司当季综合运营利润高达11.38万亿韩元，同比大幅增长62%，利润率达到了47%。这是SK海力士首次季度利润突破10万亿韩元大关，标志着公司运营能力迈上了新台阶。同期，公司季度销售额也实现了24.45万亿韩元，同比劲增39%。这一业绩与外媒此前对SK海力士11.41万亿韩元运营利润的市场预测基本吻合，显示出其业绩的稳定性和强劲增长态势。此次财报有三大核心亮点值得关注：HBM4的进展、资本支出计划以及对DRAM和NAND市场的展望。

HBM4战略布局：关键客户2026年供应谈判敲定，Q4开始出货

在高端存储芯片领域，SK海力士持续保持领先地位。公司已确认，与主要客户就2026年高带宽内存（HBM）的供应谈判已全部完成。这一进展为SK海力士未来年度的HBM业务奠定了坚实的基础。

备受瞩目的HBM4芯片已于9月完成开发，并达到所有性能要求，能够提供行业领先的速度。据公司计划，HBM4产品将在2025年第四季度启动出货，并预计在2026年逐步扩大销售规模。有外媒分析指出，全球图形处理器（GPU）巨头英伟达（NVIDIA）很可能位列这些已确认的HBM4供应客户之中。

市场研究机构集邦咨询（TrendForce）留意到，英伟达近期已向其Vera Rubin服务器机架的关键组件供应商施压，要求升级产品规格。具体而言，英伟达要求将HBM4的每引脚速度提升至10 Gbps。这一要求正值其主要竞争对手美国AMD公司准备于2026年推出MI450 Helios平台之际，凸显了AI领域对高性能HBM的迫切需求和激烈竞争。尽管这些升级能否成功实施仍存在不确定性，但集邦咨询预计，在HBM4早期量产阶段，SK海力士有望继续保持其主导供应商的地位。

资本支出规划：财务实力增强，2026年投资显著增长

鉴于稳健的财务状况和不断增长的市场需求，SK海力士已明确计划在2026年进一步增加资本投资。据外媒援引的消息，公司遵循一项原则，即其资本支出（CAPEX）通常保持在过去三年销售额移动平均值约30%至35%的水平。

值得注意的是，另有外媒报道强调，SK海力士认为，为满足快速增长的内存需求，增加在该领域的投资是必然趋势。因此，预计2026年的资本支出将“显著”上升。报告进一步指出，基础设施投资在明年将持续扩大，其中包括为韩国龙仁集群一期项目和美国印第安纳州先进封装工厂的准备工作。

与此同时，公司正积极推进新产能的建设，其中M15X晶圆厂的洁净室已提前投入使用，并已开始设备安装。据外媒报道，SK海力士已在其韩国清州M15X晶圆厂安装关键设备，该工厂未来将生产HBM及其他产品。该设施预计将于2025年底前竣工，并计划于2026年开始投产。作为M15晶圆厂的扩建项目，M15X晶圆厂的总投资额超过20万亿韩元。

DRAM与NAND市场展望：2025年Q4表现强劲，2026年需求持续增长

SK海力士预测，2025年第四季度将是又一个强劲的季度，预计DRAM和NAND销售额将实现低个位数环比增长。展望2026年，公司预计DRAM需求将同比增长超过20%，延续2025年两位数高段的增长态势。NAND需求也预计将实现稳健增长，从2025年两位数中段的增长率提升至2026年的两位数高段。

SK海力士方面解释，随着KV Cache（键值缓存）逐渐从HBM卸载到传统DRAM和固态硬盘（SSD），以及多请求的并行处理，内存需求正在急剧上升。这正引发DRAM（包括HBM、高性能DDR5）和NAND（包括企业级固态硬盘eSSD）需求的结构性转变。

为满足这一不断增长的需求，SK海力士计划加快向其先进的10纳米级第六代（1c）工艺的转型，该工艺已实现稳定量产。同时，公司将扩大服务器、移动和图形处理器等细分市场的DRAM供应。对于NAND产品，SK海力士旨在提高其321层产品的产量，该产品是目前全球最高层数的NAND闪存，以迅速满足客户的多元需求。

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本文来源：新媒网 https://nmedialink.com/posts/ai-chip-boosts-sk-hynix-record-profit.html