新媒网 · 跨境数据社区

在2025年这个科技飞速发展的时代，高带宽内存（HBM）无疑是半导体行业，特别是人工智能（AI）计算领域，最受关注的核心技术之一。其迭代升级不仅标志着存储技术的新突破，更预示着AI算力上限的进一步提升。近期，全球两大存储巨头——韩国的三星电子与SK海力士，不约而同地确认将在即将举行的SEDEX（Semiconductor Exhibition）展会上，首次公开展示其最新一代HBM4内存模块，此举无疑将为全球半导体产业投下重磅消息。

据外媒消息，两家公司的代表均已向其证实，HBM4确实将在本次展会上亮相。参观者在VIP巡展结束后，将有机会亲眼目睹HBM4的实物模块。此举凸显了两家公司在HBM领域激烈的竞争态势，特别是在HBM4世代，三星正积极寻求追赶其竞争对手的领先地位，而SK海力士则力求巩固其现有优势。

技术路径之争：HBM4核心工艺的差异化考量

HBM4作为高性能计算领域的新焦点，其核心技术选择成为各方关注的焦点。三星与SK海力士在HBM4的逻辑芯片（Logic Die）和核心DRAM（Core DRAM）工艺上展现出不同的策略，这预示着未来产品性能、成本及市场竞争力的潜在差异。

逻辑芯片（Logic Die）工艺选择：
根据外媒的报道，三星电子在HBM4的逻辑芯片制造上，据称将采用其自有的4纳米晶圆代工工艺。这一选择标志着三星在HBM集成方面迈出了重要一步，旨在通过更先进的制程技术，提升逻辑芯片的性能和能效比。采用4纳米工艺，理论上能够带来更小的芯片面积、更低的功耗以及更高的晶体管密度，这对于集成在HBM堆栈底部的逻辑芯片而言至关重要。逻辑芯片负责HBM内存与外部处理器之间的通信和数据管理，其性能直接影响整个HBM模块的带宽和延迟表现。三星此举被视为其整合自身晶圆代工能力，寻求在HBM4时代实现技术领先的关键策略。通过将HBM逻辑芯片的制造与自身先进的晶圆代工技术相结合，三星有望在性能优化和成本控制上获得更大的灵活性。

与此形成对比的是，SK海力士则选择继续与台积电（TSMC）合作，采用其12纳米级的技术来制造HBM4的逻辑芯片。台积电作为全球领先的晶圆代工厂，其成熟且稳定的制程技术在业界享有盛誉。SK海力士选择台积电的12纳米级技术，可能出于对生产稳定性、良品率以及供应链协同的考量。虽然12纳米级相较于三星的4纳米在制程上略显保守，但通过与顶尖代工厂的合作，SK海力士能够确保产品质量和量产能力。这反映出SK海力士在追求技术进步的同时，也注重供应链的可靠性和成本效益。两种不同的逻辑芯片工艺选择，将直接影响HBM4产品的特性，并在未来的市场中展开差异化竞争。

核心DRAM工艺（Core DRAM Process）竞争：
在核心DRAM制造工艺方面，三星电子同样展现出其激进的创新策略。据外媒透露，三星正力推其1c纳米工艺用于HBM4核心DRAM的生产，这比SK海力士目前使用的1b纳米DRAM工艺领先一代。在内存制造领域，“纳米”后的字母数字越小，代表工艺节点越先进，内存颗粒的集成度越高，单位面积内的存储容量越大，同时能耗和成本也能得到更好的控制。

三星采用1c纳米工艺，旨在进一步提升HBM4的容量密度、数据传输速度以及能效。更精细的制程意味着可以在相同的物理空间内堆叠更多的存储单元，从而实现更高的单颗DRAM容量，这对于满足AI等应用对内存容量日益增长的需求至关重要。同时，先进工艺也能优化电路设计，提升数据读写速度，并有效降低功耗，对于数据中心和AI加速器这类对能效比要求极高的场景具有显著优势。

SK海力士目前则采用1b纳米工艺生产DRAM。虽然在工艺节点上暂时落后三星一代，但SK海力士在HBM领域拥有丰富的量产经验和深厚的技术积累。其在HBM3及HBM3E市场上的领先地位，正是凭借其成熟的1b纳米工艺和卓越的堆叠封装技术所奠定。尽管三星的1c纳米工艺在纸面数据上可能更具优势，但SK海力士的1b纳米工艺在稳定性和量产良率方面可能已达到较高水平，这对于大规模市场供应至关重要。两家公司在核心DRAM工艺上的不同步调，将共同塑造HBM4产品的技术特性与市场竞争力。

市场格局与前瞻：TrendForce预测下的HBM市场份额

HBM技术的高速发展，使得其市场格局备受关注。根据市场研究机构TrendForce的最新预测，展望2025年的HBM市场，竞争格局将呈现出一定的集中化趋势，其中SK海力士有望继续保持其领先地位。

TrendForce预测数据显示，2025年SK海力士将以高达59%的市场份额占据主导地位，遥遥领先于其他竞争者。这一预测巩固了SK海力士在HBM领域的长期优势，反映了其在技术创新、产品成熟度以及与主要客户（如英伟达等AI芯片巨头）的紧密合作方面所建立的深厚壁垒。SK海力士在HBM3和HBM3E市场的率先量产和供货，为其在下一代HBM4竞争中奠定了坚实基础。其稳定的产品供应和技术支持能力，使其成为AI芯片制造商的首选合作伙伴。

与此同时，三星电子和美光（Micron）预计将在2025年HBM市场中分别占据约20%的市场份额。对于三星而言，尽管其在全球DRAM市场占据领导地位，但在HBM这一细分领域，其市场份额与SK海力士相比仍有差距。然而，随着三星在HBM4技术上投入更多资源，并积极推动更先进的制造工艺，其市场份额有望在未来几年内逐步提升。三星凭借其强大的晶圆代工和内存制造综合实力，有潜力在HBM4时代迎头赶上。

美光作为另一大存储巨头，其20%的市场份额表明其在HBM领域也具备不可忽视的竞争力。美光凭借其独特的HBM技术路径和与客户的合作，也在积极争取市场份额。这三家主要厂商的竞争，将共同推动HBM技术的快速发展和市场规模的持续扩大。

HBM技术发展背景与战略意义

HBM，即高带宽内存（High Bandwidth Memory），是一种创新的3D堆叠式内存技术，旨在解决传统DRAM在带宽和功耗方面的瓶颈。与传统的GDDR（Graphics Double Data Rate）内存不同，HBM通过将多个DRAM芯片垂直堆叠并与一个逻辑芯片连接，实现超宽的数据接口和极高的传输带宽。同时，由于其堆叠结构和与处理器更近的集成方式，HBM在能效方面也表现出色。

HBM技术的出现，最初是为了满足高性能显卡对带宽的巨大需求。然而，随着人工智能、机器学习、大数据分析以及高性能计算（HPC）等领域的爆发式增长，对算力的要求越来越高，传统的内存架构已难以满足这些应用对超高带宽和低延迟的需求。HBM因此迅速成为AI加速器、数据中心服务器和超级计算机等高端计算平台不可或缺的关键组件。

对于三星、SK海力士和美光这样的存储巨头而言，HBM不仅是其产品线中的高端部分，更是未来竞争力的战略高地。谁能在HBM技术上取得突破，谁能率先实现大批量、高质量的供货，谁就能在AI时代占据有利位置。HBM的每一代升级，都意味着计算系统性能的飞跃，也意味着半导体产业格局的重新洗牌。从HBM1到HBM4，每一次迭代都伴随着带宽的翻倍、容量的提升以及能效的优化，持续推动着全球科技前沿的发展。

产业链影响与未来展望

HBM4的即将亮相和市场竞争态势，其影响远不止于存储芯片制造商本身，而是对整个半导体产业链，特别是AI芯片设计、数据中心建设乃至终端应用领域，都将产生深远的影响。

首先，对于AI芯片设计公司而言，HBM4的推出将提供前所未有的内存带宽和容量，使得他们能够设计出更加复杂、性能更强的AI加速器。例如，像英伟达（NVIDIA）、AMD、以及谷歌（Google）等致力于开发AI专用芯片的厂商，将能够更好地利用HBM4的特性，突破现有内存瓶颈，实现AI模型的更快训练和推理。HBM4的性能提升，将直接转化为AI算力的增长，推动自动驾驶、自然语言处理、计算机视觉等AI应用领域的快速发展。

其次，数据中心和云计算服务提供商将是HBM4技术的直接受益者。随着全球数据量的爆发式增长以及AI工作负载的日益繁重，数据中心对高性能、低功耗内存的需求越来越迫切。HBM4的普及，将有助于数据中心提升服务器的处理能力，降低运营成本，并提供更高效的云服务。新媒网跨境获悉，高效的HBM解决方案，也将为边缘计算设备提供更强大的本地处理能力，进一步拓宽AI技术的应用边界。

最后，HBM4的竞争格局也反映了全球半导体供应链的复杂性和协作性。三星与台积电在逻辑芯片代工上的不同选择，展示了存储厂商与晶圆代工厂之间的紧密联系与战略合作。这不仅影响了各家HBM产品的特性，也对整个半导体供应链的平衡和发展带来影响。

展望未来，HBM技术无疑将继续沿着高带宽、大容量、低功耗的方向发展。HBM4的正式面世和大规模应用，将是推动AI时代计算能力进一步跃升的关键一步。全球半导体产业将持续聚焦HBM的创新与竞争，以应对未来科技发展带来的无限可能。

新媒网（公号: 新媒网跨境发布），是一个专业的跨境电商、游戏、支付、贸易和广告社区平台，为百万跨境人传递最新的海外淘金精准资讯情报。

本文来源：新媒网 https://nmedialink.com/posts/2025-hbm4-sk-hynix-59-ai-samsung-catch-up.html