韩国HBM4激战！三星先发，却只拿英伟达30%份额？

全球人工智能（AI）加速器市场正迎来关键时期。随着美国英伟达公司计划在2026年3月中旬举行的GTC大会上发布其下一代AI加速器Vera Rubin，存储芯片制造商在HBM4（第四代高带宽存储器）领域的竞争也日益白热化。

根据外媒报道，韩国三星电子有望成为全球首家在农历新年后大规模生产并出货HBM4芯片的公司。然而，初步的市场份额预测显示，三星的初始占比可能维持在20%至30%左右。外媒援引业内消息指出，美国英伟达公司已在2025年末初步完成了HBM4的产能分配。其中，韩国SK海力士获得了最大份额，约为50%至60%；三星电子的份额预计在20%至30%之间；而美国美光科技的份额约为20%。

三星HBM4技术突破与初期出货情况

尽管三星电子在HBM4市场初期获得的份额相对较小，但其在技术上的突破和率先出货的策略，正引起业界的高度关注。新媒网跨境获悉，外媒报道称，三星已提前通过了美国英伟达公司的质量测试，并已获得采购订单，计划最早在本月第三周启动HBM4的大规模出货。除了在时间上拔得头筹，三星的HBM4产品也宣称拥有业界最高的性能。

外媒指出，三星此次性能飞跃的关键在于其大胆的技术融合：将1c（10纳米级，第六代）DRAM技术与先进的4纳米（nm）代工工艺相结合，用于HBM4的基底芯片生产。这项创新使得三星HBM4的数据传输速度可达每秒11.7Gbps。这不仅远超JEDEC（固态技术协会）设定的8Gbps标准，提升了37%，也比上一代HBM3E（9.6Gbps）快了22%。

此外，外媒报道还提到，三星HBM4能够提供高达每秒3TB（太字节）的单堆栈内存带宽，大约是其前代产品的2.4倍。通过12层堆叠，HBM4的容量可达到36GB；如果采用16层堆叠，容量有望进一步扩展至48GB。

三星的“双重策略”与产能考量

面对HBM4初期份额的挑战，外媒分析认为三星电子可能并不需要过于担忧。与复杂的HBM封装技术不同，主流DRAM（动态随机存取存储器）避免了复杂的封装流程，因此具有更高的利润空间。报道指出，三星的DRAM产能据称是竞争对手的1.2倍。这表明，三星正在采取一种策略：通过与美国英伟达公司合作，展示其领先的HBM4技术实力，同时将重心放在利润更为丰厚的主流DRAM市场。

较高的成本并非仅来源于封装。外媒分析指出，三星的4纳米基底芯片目前仍处于先进代工技术阶段，而1c DRAM则是当前最先进的DRAM技术。相较于竞争对手采用的12纳米代工节点和1b DRAM，三星HBM4的生产成本更高，同时良率也面临更大的不确定性。

值得注意的是，像其他在AI驱动需求下快速增长的存储巨头一样，三星也正面临产能限制的挑战。外媒报道称，目前1c DRAM的月产晶圆量约为7万片，这大约占三星DRAM总产能的10%。虽然其位于平泽（Pyeongtaek）的四号工厂扩建项目正在进行中，但预计需要一年时间才能将月产能提升至约19万片晶圆。

在HBM及所有内存产品价格普遍上涨的背景下，三星电子拥有足够的市场操作空间，其目标是高效地分配现有产能以应对市场需求。

SK海力士与美光在HBM4市场的定位

尽管三星电子在技术上有所突破，但外媒解释了美国英伟达公司为何将HBM4的最大份额分配给韩国SK海力士。HBM的生产周期通常超过六个月，因此供应商必须提前很长时间就确定产能分配。据报道，此次分配反映了英伟达对各供应商过往业绩、HBM4产能以及资格认证成功率的综合评估。

外媒指出，SK海力士在近期的资格认证测试中表现强劲。鉴于美国英伟达公司计划在今年晚些时候于Vera Rubin中大规模部署HBM4，拥有最大HBM生产能力的供应商（即SK海力士）能否可靠供货至关重要。从这个角度来看，英伟达倾向于SK海力士的决定显得合乎情理。

然而，另一家存储巨头美国美光科技似乎在HBM4竞争中落后。外媒报道指出，市场传闻美光在向美国英伟达公司供应HBM4方面遭遇困难，这可能导致三星电子的份额提升至30%。另有报道补充说，美光可能并未获得HBM4的初始分配，但将为英伟达的“Vera”CPU提供LPDDR5X内存，支持高达1.5TB的容量，以此弥补其在HBM4份额上的不足。

新媒网（公号: 新媒网跨境发布），是一个专业的跨境电商、游戏、支付、贸易和广告社区平台，为百万跨境人传递最新的海外淘金精准资讯情报。

本文来源：新媒网 https://nmedialink.com/posts/korea-hbm4-war-samsung-lead-nvidia-30-share.html