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韩国SK海力士，在业界高性能存储领域持续发力，特别是在高带宽内存（HBM）市场确立了其领先地位。新媒网跨境获悉，该公司并未止步于此，正积极拓宽其存储解决方案的版图，不仅与美国存储巨头闪迪公司携手，共同探索高带宽NAND闪存（HBF）技术，旨在通过NAND强化AI推理工作负载中的HBM性能，同时，也在深度布局和研发更为广泛的高带宽存储（HBS）方案。

高带宽存储（HBS）被视为SK海力士在移动端AI领域的一项重要创新。据外媒报道，HBS技术将移动DRAM与NAND闪存巧妙结合，其核心目标是显著提升智能手机、平板电脑以及其他移动终端设备中的AI处理效能。报道中引述的业内消息指出，SK海力士正致力于将低功耗的宽I/O DRAM与NAND进行堆叠，从而构建HBS。这种先进的堆叠技术最多可达16层DRAM和NAND。这些存储层之间通过垂直线扇出（VFO）技术实现紧密互连，极大地加速了数据传输和处理速度。

垂直线扇出（VFO）技术，对于SK海力士而言，并非首次应用。外媒报道曾提及，SK海力士此前已向美国苹果公司供应了用于其Vision Pro头显的DRAM产品，其中便采用了垂直线扇出封装技术。此次，HBS的研发则将VFO概念进一步深化，通过集成NAND闪存，使其应用场景和潜力得到更广泛的拓展。

SK海力士方面表示，VFO技术于2023年正式推出，其设计理念旨在通过垂直连接而非传统的弯曲连接线路，最大限度地减少占用空间并有效降低功耗。这项技术在革新尺寸较大的扇出晶圆级封装（WLP）方面也发挥了关键作用。WLP作为一种先进的封装技术，通过芯片外部线路连接I/O端子。SK海力士宣称，其垂直扇出设计带来了多方面的显著性能提升：相较于传统设计，线长缩短了4.6倍，这意味着功耗效率提升了4.9%。此外，这项技术还将封装高度降低了27%，同时散热性能也改善了1.4%。这些技术参数的优化，对于追求更高集成度、更低能耗和更强散热性能的移动设备而言，具有重要的实践意义。

值得关注的是，外媒报告还特别强调了HBS与HBM在技术实现上的一个显著区别：HBS无需采用穿透芯片的硅通孔（TSV）工艺。硅通孔技术虽然在HBM中广泛应用，能够实现高速数据传输，但其制造过程复杂，对良品率和成本控制构成挑战。HBS通过规避这一复杂工艺，有望获得更高的生产良品率和更低的制造成本，这为其在成本敏感的移动设备市场推广奠定了基础。

展望HBS的未来应用前景，外媒报道指出，这种DRAM与NAND堆叠的HBS解决方案将与应用处理器（AP）一同进行封装，并直接集成到各类移动设备中。因此，报告认为SK海力士开发HBS的初衷，正是为了响应智能手机、平板电脑及其他移动平台对AI性能日益增长的强劲需求。当前，终端侧AI（Edge AI）应用正在蓬勃发展，例如智能语音助手、实时图像识别、自然语言处理以及个性化推荐等功能，这些都对本地计算能力和高效的数据传输速率提出了更高的要求。HBS通过其独特的技术架构，有望为这些复杂的AI应用提供必要的硬件支撑，从而有效减少对云端处理的依赖，提升用户体验，同时增强数据隐私和安全性。

SK海力士在HBS领域的最新布局，与该公司此前的多项专利申请呈现出高度一致性。据外媒在今年3月的报道，SK海力士已于今年2月向韩国知识产权局（KIPO）提交了“LPW NAND”商标的注册申请。这项技术被普遍认为是美国闪迪公司高带宽闪存（HBF）技术的对应或类似方案。报道详细披露，闪迪公司的第一代HBF技术能够实现16层堆叠，总容量高达512GB。更为关键的是，它能在提供类似HBM的高带宽的同时，将存储容量扩大8至16倍。对于处理海量数据的AI推理工作负载而言，这种大容量与高带宽的结合至关重要，它能为更复杂、更大规模的AI模型训练和部署提供充足的存储空间和高效的数据吞吐能力。

关于SK海力士HBF产品的市场投放时间，外媒援引的路线图显示，预计其产品将在2029年至2031年之间正式面世。这一时间规划表明，SK海力士正有条不紊地推进其在高带宽存储领域的长远发展战略，旨在通过多元化的存储解决方案，全面覆盖并满足未来不同AI应用场景的严苛需求。新媒网跨境认为，SK海力士的系列举措，标志着其在高带宽存储领域的深远布局，意图在AI时代继续巩固其在存储芯片市场的领先地位。

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本文来源：新媒网 https://nmedialink.com/posts/sk-hynix-boosts-mobile-ai-with-8-16x-hbs-storage.html